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- [发明专利]低电容低RC环绕接触-CN202180084899.8在审
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谢瑞龙;E·A·德希尔瓦;郭婧;唐浩;池澄
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国际商业机器公司
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2021-11-12
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2023-08-15
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H01L29/06
- 提供一种场效应晶体管。该场效应晶体管包括在衬底(110)上的第一源极/漏极、在衬底上的第二源极/漏极、以及在第一源极/漏极和第二源极/漏极之间的沟道区(130)。该场效应晶体管还包括在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的至少三个侧面上的金属衬里(210),其中该金属衬里覆盖小于第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的侧壁的全部长度。该场效应晶体管还包括在金属衬里和第一源极/漏极和/或第二源极/漏极之间的金属‑硅化物(215),以及在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极上的金属衬里上的导电接触(218),其中该导电接触是与金属衬里的导电材料不同的导电材料。在形成该源极/漏极之后并在沉积该金属衬里之前,进行非晶化步骤。
- 电容rc环绕接触
- [发明专利]低电容低钳位过压保护器件-CN201110058804.3有效
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张关保;苏海伟;王永录;叶力;吴兴农
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上海长园维安微电子有限公司
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2011-03-11
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2011-09-07
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H02H9/04
- 本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件,其特征在于:所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成,低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护,低钳位管用于降低整个器件的钳位电压,其中,低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连,低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连,低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是:利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件,克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求;实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器,差分应用电容更低;实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。
- 电容低钳位保护器件
- [实用新型]一种低卤电容器-CN201220373559.5有效
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林瑞福
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东莞凯励电子有限公司
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2012-07-31
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2013-01-23
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H01G4/224
- 本实用新型属于电容器技术领域,特别涉及一种低卤电容器,包括引线,电容芯子,电容芯子的两端设有喷焊层,引线焊接于喷焊层,还包括低卤塑胶盒,电容芯子置于低卤塑胶盒内,电容芯子与低卤塑胶盒之间设有低卤环氧树脂层,本实用新型的电容芯子置于低卤塑胶盒内,使得本实用新型的坚固性、密封性和阻燃效果较一般的电容器好,低卤环氧树脂层可使电容芯子与电容塑胶盒的坚固性和密封性更好,低卤塑胶盒和低卤环氧树脂层还可使本实用新型具有卤素含量低
- 一种电容器
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